电力大数据实验室在上海正式挂牌成立

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电力大数f）在重复编程和擦除操作下的柔性OTFT非易失型存储器的转移特性曲线。这些都需要对半导体材料的结构和能级，据实源漏电极的功函数以及对称性，器件结构，界面接触以及成膜性等进行综合的考虑与探讨。

验室d）基于WSe2的LET在不同电流方向上的圆偏振电致发光光谱。

海正b）单栅（上图）和双栅（下图）PbS基晶体管的示意结构。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，式挂投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP.。

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